2020年2月10日，北京——西部數(shù)據(jù)公司 (NASDAQ: WDC)日前宣布已成功開發(fā)第五代3D NAND技術——BiCS5，繼續(xù)為行業(yè)提供先進的閃存技術來鞏固其業(yè)界領先地位。BiCS5基于TLC和QLC技術構建而成，以有競爭力的成本提供了更高的容量、性能和可靠性。在車聯(lián)網(wǎng)、移動設備和人工智能等相關數(shù)據(jù)呈現(xiàn)指數(shù)級增長的當下，BiCS5成為了理想的選擇。

基于512 Gb的 BiCS5 TLC，西部數(shù)據(jù)目前已成功在消費級產(chǎn)品實現(xiàn)量產(chǎn)出貨。預計到2020下半年，BiCS5將投入大規(guī)模量產(chǎn)。西部數(shù)據(jù)將推出一系列容量可選的BiCS5 TLC和BiCS5 QLC，其中包括1.33 Tb。

西部數(shù)據(jù)存儲技術與制造部門高級副總裁Steve Paak表示：“隨著又一個十年的到來，新的3D NAND演進對于繼續(xù)滿足數(shù)據(jù)量的不斷增長和性能的需求都至關重要。BiCS5的成功生產(chǎn)體現(xiàn)了西部數(shù)據(jù)在閃存技術方面的持續(xù)領導地位，以及對長期路標的高效執(zhí)行力。通過利用多層存儲孔技術來提高存儲密度增加存儲的層數(shù)，我們顯著提高了3D NAND的容量和性能，從而不斷滿足用戶期待的高可靠性和低成本�！�

BiCS5采用了廣泛的新技術和創(chuàng)新的制造工藝，是西部數(shù)據(jù)迄今為止最高密度、最先進的3D NAND。第二代多層存儲孔技術、改進的制造工藝流程以及其他3D NAND單元的增強功能，顯著提高了整個晶圓水平面單元的陣列密度。這些“橫向擴展”技術與112層垂直存儲能力相結合，使BiCS5相比于西部數(shù)據(jù)上一代的96層BiCS4技術，其每片晶圓的存儲容量提高了40%以上，同時優(yōu)化了成本。新的設計改進還提高了性能，使得BiCS5的I/O性能比BiCS4提升了50%。

BiCS5是與其技術和制造伙伴鎧俠株式會社（Kioxia Corporation）共同研發(fā)，將會在日本三重縣四日市和日本巖手縣北上市的合資工廠生產(chǎn)。

依托BiCS5技術，西部數(shù)據(jù)將推出基于3D NAND技術的個人電子產(chǎn)品、智能手機、IoT設備和數(shù)據(jù)中心等全方位系列產(chǎn)品。